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Semiconductores :: Semiconductor tipo P

   Materiales semiconductores

1. Red de Ge dopado con B. Semiconductor tipo P.

    El boro B (al igual que el aluminio Al) poseen ambos tres electrones en su última capa.

Átomo de boro introducido en un cristal de germanio

    Si introducimos átomos de B dentro de la red cristalina de Ge en cantidades relativamente pequeñas los tres electrones de la última capa forman enlaces covalentes, como lo haría un átomo de germanio. Existe por lo tanto un hueco, y una tendencia a que se pueda alojar en él un electrón a pesar de que se pueda romper de forma instantánea la neutralidad eléctrica.

    Esto tiene como resultado propiedades eléctricas muy diferentes a las que tenía el cristal de Ge puro. Solo es necesario introducir cantidades pequeñas de B para obtener un número de portadores de carga suficiente, que en este caso son huecos electrónicos.

    El procedimiento de introducir estas impurezas en el cristal se denomina dopado.

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© Joaquín Sarmiento. 2003-2004