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Semiconductores :: Semiconductor tipo N

   Materiales semiconductores

1. Red de Ge dopada con As. Semiconductor tipo N.

    El arsénico As (al igual que el fósforo P) poseen ambos cinco electrones en su última capa.

Átomo de arsénico introducido en un cristal de germanio

    Si introducimos átomos de As dentro de la red cristalina de Ge en cantidades relativamente pequeñas cuatro de los electrones de la última capa forman enlaces covalentes, como lo haría un átomo de Ge. El quinto electrón sin embargo, queda libre para moverse.

    Esto tiene como resultado propiedades eléctricas muy diferentes a las que tenía el cristal de Ge puro. Solo es necesario introducir cantidades pequeñas de As o P para obtener un número de portadores de carga suficiente.

    El procedimiento de introducir estas impurezas en el cristal se denomina dopado.

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© Joaquín Sarmiento. 2003-2004